强者是从产业链上游开始渗入自己的理念和创新，国网并借助产业链优势完成顶尖设计的完美再现。

二维材料中的纳米孔为探索该领域提供了一个独特且可控的平台，冀北因为它们表现出显著的高水通量和显著的表面效应，冀北如离子选择性和电荷各向异性的出现。因此，电力这项工作为在纳米尺度上实现对离子传输的主动控制和开发先进的仿生离子器件的有效压力敏感性开辟了一个新的维度。

另一方面，特高将人工纳米流体系统缩放到分子尺度已经揭示了大量有趣的电流体动力离子输运物理学原理。因此，压建合成系统已经开始从各方面模仿其天然对应物的基本作用。MD模拟显示，设加速跑这种现象是由于在电压和压力驱动的输运下，石墨烯膜两侧离子的强电容性积累引起的。

作者在各种条件下进行了大量实验，国网一致地观察到单层石墨烯纳米孔中的非线性调制。【成果简介】近日，冀北浙江大学冯建东教授团队报导了具有非线性电流体动力学耦合的石墨烯纳米孔中实现了通过压力调控实现离子传输，冀北实现了非线性的电流体动力学耦合。

【图文导读】图一、电力压力调节下的石墨烯纳米孔©2022TheAuthors（a）70nm氮化硅（SiNx）孔附着石墨烯膜的TEM图像 （b）石墨烯膜的电子衍射图 （c）4nm石墨烯纳米孔的球差校正TEM图像 （d）石墨烯纳米孔中压力集成离子输运的示意图 （e）在1MKCl溶液中100mV偏压下逐步压力下的离子电流时间轨迹图二、电力机械敏感离子在石墨烯纳米孔中的迁移 ©2022TheAuthors（a）离子电流作为0和100mV下施加压力的函数 （b）作为施加压力的函数测量的I-V曲线 （c）离子电导随着施加的压力而增加 （d）在-100和100mV的不同压力下的流动电流时间轨迹 （e）流动电流作为0mV时施加压力的函数 （f）离子电流作为100mV时施加压力的函数 图三、不同离子环境的机械敏感电导 ©2022TheAuthors（a）7.1nm石墨烯纳米孔器件#3在不同pH（pH=3.0，5.5和8.9）条件下机械敏感电导变化率Gstr/G0 （b）7.5nm石墨烯纳米孔器件#4在不同离子浓度（0.01，0.1和1MKCl）下机械敏感电导变化率Gstr/G0（c）机械敏感电导变化率与孔径尺寸（1.7-9.8nm，器件#6）之间的关系（d）7.2nm石墨烯纳米孔器件#5在不同pH（pH=3.0，5.5和8.9）条件下机械敏感电导变化率Gstr/G0（e）7.2nm石墨烯纳米孔器件#5在不同离子浓度（0.01，0.1和1MKCl）下机械敏感电导变化率Gstr/G0（f）机械敏感电导变化率与孔径尺寸（1.8-5.8nm，器件#7）之间的关系图四、机械敏感离子传输的分子动力学（MD）模拟 ©2022TheAuthors（a）在电位差和压力梯度作用下，离子通过单层石墨烯纳米孔传输的模拟域示意图（b）在Δϕ=3V和Δp=200MPa条件下穿过膜的离子密度分布（c）Δp=200MPa膜上的净电荷密度分布（d-e）（d）Δϕ=3V零压偏压和（e）Δϕ=3V、Δp=200MPa条件下纳米孔附近轴对称水密度和速度矢量的可视化图（f-g）（f）Δϕ=3V零压偏压和（g）Δϕ=3V、Δp=200MPa条件下轴对称净电荷分布和电流密度矢量的可视化图（h）电导率与移动速度的关系（i）不同移动速度的电流随时间变化【结论展望】通过实验，研究人员使用单个石墨烯纳米孔中的极限薄势垒通过实验首次探索了压敏离子传输现象。

离子传导的这种压力调制涉及非线性电流体力学耦合，特高这是线性电动力学理论的经典图像所无法预测的。司宏国对XR设备的前景表示看好：压建我们认为2024年将是VR、AR设备的增长高峰年，未来2-5年是持续增长期。

高通技术公司副总裁兼XR部门总经理司宏国（HugoSwart）日前在美国毛伊岛上的活动中表示，设加速跑关于合作目前不能透露细节，设加速跑但我们确实在与三星电子、LG电子合作。三星和LG并未明确说明何时推出产品，国网报道称最早预计在明年上半年。

同时，冀北司宏国称目前计划在明年第一季度推出下一代XR芯片，冀北将比MetaQuest头显采用的第二代芯片（XR2）更加先进，预计在图形处理能力、视频透视能力和AI性能均会优于第二代芯片。据韩媒etnews今日报道，电力三星和LG已被证实正在开发基于高通芯片的XR设备。